Модуль оперативной памяти AMD DDR4 4Gb 2666MHz, R744G2606U1S-UO

Категория: Комплектующие для компьютеров

Бренд: AMD

Найти все предложения и цены на комплектующие для компьютеров AMD

Наш сервис сравнения цен ShopLiga.Ru - подбирает для вас самые лучшие и актуальные цены на товары от проверенных продавцов из различных регионов России. Предлагаемая продукция отличается высоким качеством, и пользуются большой популярностью. Мы стараемся поддерживать самые актуальные цены на товары, размещаем детальные технические характеристики, статьи с рекомендациями и отзывами покупателей о продукции и размещенных магазинах.

Модуль оперативной памяти AMD DDR4 4Gb 2666MHz, R744G2606U1S-UO - можно купить на официальном сайте нашего партнера ozon.ru. Также, на сайте доступно подробное описание и существует возможность ознакомиться с полным каталогом товаров. В интернет-магазине ozon.ru помогут оформить заказ и обсудят возможную доставку на дом.

Лучшая цена в магазине:

1 820 руб.

ПОСМОТРЕТЬ

Наличие на складеТоропитесь, товар заканчивается на складе!
Сегодня его купили 14 раз
Доставка Россия Самовывоз, курьерская доставка, почта России, EMS, ТК
Способы оплаты наличный расчет, безналичный расчет, Webmoney, Яндекс.Деньги

4-гигабайтная оперативная память AMD Radeon R7 Performance Series [R744G2606U1S-UO] соответствует самому распространенному в настоящее время типу DDR4. Благодаря сравнительно высокому уровню технических характеристик, модель с высокой долей вероятности можно будет применить для модернизации памяти, использовавшейся до этого. Модуль памяти, пропускная способность которого составляет 21300 МБ/с, может быть полезен и при сборке компьютера универсального назначения. Память AMD Radeon R7 Performance Series [R744G2606U1S-UO] характеризуется тактовой частотой, составляющей 2666 МГц. Если ваша материнская плата не поддерживает эту частоту, то вам может оказаться полезной поддержка других частот: 1600, 1866, 2133 и 2400 МГц. Важным преимуществом модели является поддержка технологии Intel XMP, за счет которой можно реализовать разгонный потенциал памяти. Память соответствует таймингам 16-18-18-35. Высота модуля памяти составляет 35 мм. Для питания устройства используется напряжение 1.2 В.