Valeri Benkendorf Untersuchung der elektrischen Eigenschaften von Trench-MOS-Leistungstransistoren

Категория: Литература на иностранных языках

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Inhaltsangabe:Zusammenfassung: Als das Ziel dieser Diplomarbeit wurde die Untersuchungen der elektrischen Eigenschaften der 40V-MOS-Leitungstransistoren festgelegt, die auf der Basis einer 0,6 µm-Technologie mit vertikalen Gräben (Trenchen) am IMS entwickelt wurden. Insbesondere standen in dem Vordergrund die Ausbeuteprobleme bei dem Gateoxid zu analysieren. Dazu wurden die Varianten des Gateoxidkomplexes, die innerhalb einer Charge durchgeführt wurden, gegenübergestellt und beurteilt. Eins weiteres Hauptziel der Untersuchungen war die auftretenden untypischen Verläufe der Drain-Source-Durchbruchspannung. Hier wurden die möglichen Ursachen des Kennlinie-Verlaufs analysiert und die Verbesserungsmöglichkeiten nachgeprüft. Weiterhin wurden die aktuellen Probleme bei den anderen Transistorparametern vermessen und diskutiert. Im Rahmen der Charakterisierung der elektrischen Eigenschaften der Bauelementen wurden für die technologische Bewertung die wichtigen Parameter, die Schwellspannung Uth, die Drain-Source-Durchbruchspannung Uds(br)), der Gateleckstrom IGL und der Einschaltwiderstand RDS(on) gemessen und ausgewertet. Inhaltsverzeichnis:Inhaltsverzeichnis: Abkürzungen3 1.Einleitung5 2.Theoretische Grundlagen7 2.1Der MOSFET8 2.2Entwicklungsgeschichte der vertikalen Leistungstransistoren9 2.340V-Trench-MOS-Leistungstransistor13 2.3.1Prozess zur Herstellung vertikaler Leistungstransistoren15 2.4Elektrische Eigenschaften von Leistungstransistoren17 2.4.1Einschaltwiderstand RDS(on)17...